일반기술

전기적성질이 제어가능한 층상자기조립 전하트랩 메모리 소자

1. 기술의 개요 다양한 전기전자 제품에 핵심부품으로 사용되는 플래시메모리소자를 새로운 공정인 층상자기조립법(layer-by-layer assembly method)를 통하여 기존의 공정보다 매우 손쉽고 간단한 방법으로 액상 공정으로 제조하였다. 본 기술는 전하트랩요소인 금속 나노입자와 폴리전해질간의 정전기적 결합을 통해 다층박막을 제조하였으며, 금속나노입자의 크기, 적층수, 용액의 pH를 통하여 전하트랩요소의 밀도를 극대화시킬 수 있으며 결과적으로 메모리윈도(memory window)의 크기를 향상시킬 수 있었다.2. 기술의 특징 본 기술은 기존의 스퍼터링(sputtering)과 화학증착법(chemical vapor deposition)과 같은 방법으로 전하트랩층을 제조하지 않고 액상에서 손쉽게 제조될 수 있는 층상자기조립법을 통해 구현하였으며, 다층구조의 박막형성, 용액의 pH, 금속나노입자의 크기 등을 조절하여 전기적 성능을 손쉽게 제어하면서 향상시켰다.