일반기술

나노 입자 제어를 통한 메모리 소자 특성 향상 기술

1. 기술의 개요 나노 입자 기반의 메모리 소자에서 정보저장 공간인 나노 입자를 상온에서 형성하여 입자의 크기 및 밀도를 제어하여 메모리 소자를 제조하였다. 정보저장 능력에 중요한 영향을 미치는 나노 입자를 다층초박막 제조 방법 (layer-by-layer assembly: LbL)을 이용하여 다층구조로 적층하여 밀도를 향상 시켰고, 블록중공합체 마이셀 (diblock copolymer micelle)을 이용하여 잘 배열된 나노 입자를 형성하고 산소 플라즈마 처리를 통하여 소자 내 고분자 물질을 완전히 제거함으로써 메모리 특성의 향상이 가능하였다. 두 방법으로 형성된 나노 입자를 이용하여 메모리 소자를 제작하고 메모리 특성을 측정한 결과, 나노 입자의 밀도가 증가함에 따라 메모리 특성이 향상 되었고, 소자 내 고분자 물질을 완전히 제거함으로써 나노입자 당 저장된 전자의 수가 크게 증가하여, 메모리 소자로서의 특성을 향상시킬 수 있었다.2. 기술의 특징 다층초박막 및 블록중공합체 마이셀 방법을 통해 형성된 금속 나노입자의 경우, 기존의 고온의 열처리 공정으로 형성된 나노입자에 비해 상온에서 정보저장 능력에 영향을 주는 나노입자의 밀도를 쉽게 증가 시킬 수 있고, 플라즈마 처리를 통해 고분자 물질의 효과적인 제거가 가능하다는 특징을 갖는다. 또한 차세대 정보저장소자에 있어 가장 중요한 요소인 자기조립 방법에 의해 잘 배열된 금속 나노입자를 형성시킬 수 있기 때문에 대용량의 소자 형성에도 큰 장점을 가지고 있다. 이와 동시에 나노 입자를 상온에서 형성하기 때문에 플라스틱 기판 기반의 소자에도 적용이 가능하여 향후 플렉서블 메모리 소자의 개발이 가능할 것이다.