일반기술

플렉시블 기판 상에 나노 입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

1. 기술의 개요 유기물에 비해서 상대적으로 높은 전자 이동도를 가지는 무기물 나노입자를 활성층으로 이용한 박막 트랜지스터를 플라스틱 기판위에 구현하였다. 나노물질이 낮은 녹는점을 가진다는 물리적 특성을 이용하여 친수성 처리가 된 플라스틱 기판위에 물에 재분산된 무기물 나노입자를 이용하여, 상대적으로 저온에서 전자소자의 활성층을 제작 하였다. 제작된 플렉시블 박막 트랜지스터는 플라스틱 기판이 0.83%의 힘으로 휘어졌음에도 4.0 cm2/Vs 의 전하 이동도와 103의 전류 점멸비를 보여주었다. 2. 기술의 특징 용액상태의 무기물 나노입자들은 기존의 전통적인 반도체 제작 공정과 달리 스핀코팅 방법, 잉크젯, 및 Roll to Roll 방법에 의해서 대면적 소자 및 저가의 소자를 대량으로 생산할 수 있는 장점이 있으며, 본 기술에서 사용된 무기물 나노입자는 기존의 플렉시블 전자소자에서 주로 사용되어 지는 유기물에 비해서 높은 전하이동도와 열적, 화학적 안정성을 가진다. 또한 물질이 나노사이즈가 되면서 녹는점이 낮아지는 특성을 이용하여 모든 제작 공정이 150oC 이하에서 제작되어 플라스틱 기판의 변형 없이 제작이 가능하다는 장점이 있다.