일반기술
고주파 소자용 SiGe 이종접합 에피공정 기술
SiGe 고주파 반도체 소자 제작에 필요한 SiGe/Si 이종접합 에피성장 및 고온 실리콘 에피성장 그리고 실시간 도핑된 실리콘 다결정 박막성장의 공정기술임. 실시간 n-형 도핑된 Si 다결정 박막성장 공정기술 전수 - 실리콘기판을 습식식각으로 세척하여 표면을 청결케 하고, - 에피성장 시스템 (AP/RPCVD system)에 로드락 챔버를 통하여 실리콘 기판을 장입하고, 챔버 내의 온도를 성장온도로 조절한 다음, SiH4, PH3 가스의 주입량과 챔버 압력을 조절하여 n-형 불순물의 함량을 결정 - 단순하고 정확하게 실시간 n-형 도핑된 Si 다결정층을 성장하는 공정으로 성장이 완료되면 실리콘 기판을 성장시스템에서 제거하고, 박막성장 공정기술에 관련하여 소자에 응용하는데 필요한 물성의 평가를 위하여 전기적, 물리적, 광학적 측정분석을 하고, 신뢰성과 uniformity에 대한 기술검증을 제공함
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 중소기업진흥공단
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-06-26
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.