일반기술

Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착증이 있는 연성회로기판 및 그 제조방법

1. 기술의 개요산화아연 반도체에 5족 원소 (N, As, P, Sb)를 이용한 p-형 산화아연 박막 제조시 높은 온도에서의 용해도가 낮아 고농도의 p-형 박막 제작이 어려웠으나, 이들 원소 대신 구리 금속 원소를 도핑하여 산화아연 박막을 제작하고 Cu:ZnO(p) /u-ZnO(i) /Ga:ZnO(n) / sapphire의 MESA 구조를 형성하여 전류-전압 특성을 조사한 결과 p-i-n 의 발광다이오드 특성을 잘 구현할 수 있었다.2. 기술의 특징기존의 p-형 산화아연 도핑 물질로 알려진 V족의 N, P, As, Sb 등의 원소들이 가지고 있는 고온에서의 낮은 용해도, 비교적 낮은 온도에서의 여러 가지 중간상들의 형성 등으로 재현성이 있는 p-형 산화아연 박막을 제작하기 힘들었으나, Ib족 물질인 구리를 도핑 재료로 산소 대신 Zn를 치환하는 방법을 사용하였다. 비교적 높은 압력에서의 산소 분위기에서 후열처리를 통한 p-형 산화아연의 제작이 가능하였다. 이러한 안정적인 p-형 산화아연을 제작할 수 있게 됨으로서, 새로운 근자외선, 가시광선에서 고효율의 발광 다이오드, 레이저 다이오드를 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 고온에서 작동하는 전자 소자 등의 응용이 가능하다.