일반기술
비정질 니켈-철-실리콘-보론 자유층을 구비하는 자기 터널접합
본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 NiFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 NiFeSiB 단일층 이거나 NiFeSiB/Ru/NiFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전자기 기능재료
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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