일반기술

저유전 플라스마 중합체 박막 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

1. 기술의 개요거품기에 담긴 사이클로헥산을 포함하는 전구체를 증발시켜 기상으로 만드는 단계, 전구체를 거품기 밖으로 배출하는 단계, 거품기 밖으로 배출된 전구체를 플라스마 증착용 반응기에 유입시키는 단계, 반응기의 플라스마를 이용하여 반응기 내의 기판 위에 플라스마 중합된 전구체를 포함하는 박막을 증착하는 단계를 포함하는 저유전 플라스마 중합체 박막의 제조 방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징백금 또는 규소 기판을 반응기의 받침대에 올려놓는다. 반응기의 외부에는 Ar 따위의 운반 기체가 담겨 있는 운반 기체 저장부와 유량 조절기, 사이클로헥산과 같은 전구체 용액이 담겨 있는 거품기가 있으며, 이들은 운송관을 통해 반응기와 연결되어 있다. 운반 기체 저장부의 운반 기체는 유량 조절기에 의하여 운송관을 따라 흐르고, 운송관을 따라 이동한 운반 기체는 거품기의 전구체 용액 속으로 유입되어 거품을 발생시키며 기상 전구체를 싣고 운송관을 통해 반응기로 들어간다. 반응기에 들어간 기상 전구체는 플라스마에 의하여 기판 위에 증착된다. 이와 같이 사이클로헥산을 전구체로 하여 증착된 PPCHex(plasma polymerized cyclohexane) 박막 위에 구리 박막을 증착한 후 열처리를 실시하면, 구리 박막의 구리가 PPCHex 박막으로 확산되지 않고 열적 안정성을 나타내며, PPCHex 박막과 구리 박막 사이에 배리어막을 둘 필요가 없으므로 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 공정을 간소화할 수 있다.