일반기술
ＭＯＳ전계효과 트랜지스터
1. 기술의 개요본 기술을 통해 게이트절연막의 초박막화에 따른 물리적, 전기적 특성 한계를 극복하여, 차세대의 고집적화된 MOS 전계효과 트랜지스터를 제공할 수 있음.2. 기술의 특징본 기술은, 반도체 실리콘 기판과 실리콘 기판 상에 배치되는 소스/드레인 영역과, 소스/드레인 영역과 이격하여 실리콘상에 배치하는 게이트 전극과, 기판과 게이트 전극사이에 개재하는 게이트절연막을 구비한 MOS 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 게이트절연막이 초격자 구조를 가진 고유전체막인 것을 특징으로 함.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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