일반기술

재료 합성과 연속 도핑을 수행하기 위한 이중영역 열 화학기상 증착 장치

1. 기술의 개요본 기술은 재료의 열 화학 기상 증착(thermal chemical vapor deposition) 및 연속 도핑(in situ doping)을 수행하기 위한 이중영역 열 화학 기상 증착 장치, 및 상기 이중영역 열 화학 기상 증착 장치를 사용하여 원하는 재료 층을 열 화학 기상 증착하고 연속 도핑 하는 방법에 관한 것으로, 특히, 본 기술은 나노 튜브, 나노 와이어 등과 같은 나노 재료를 열 화학 기상 증착하고 연속 도핑하기 위한 이중영역 열 화학 기상 증착 장치 및 그 장치를 사용하여 나노 재료를 합성하고 연속 도핑하는 방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술에 따른, 재료 합성 및 연속 도핑을 수행하기 위한 이중영역 열 화학 기상 증착 장치는 기판 상에 원하는 재료층을 합성하기 위한 제 1 반응로, 도핑 공정을 수행하기 위한 제 2 반응로, 제 1 반응로 및 제 2 반응로를 서로로부터 폐쇄 또는 개방시키기 위한 게이트 밸브를 포함하며 제 1 반응로 및 제 2 반응로를 연결시키는 연결부, 제 1 반응로 및 제 2 반응로 중 적어도 하나에 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 공급부 및 제 2 반응로에 도핑 가스를 공급하기 위한 도핑 가스 공급부, 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부 및 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부를 포함하며, 게이트 밸브는, 제 1 반응로에서의 재료 합성 및 제 2 반응로에서의 도핑 중에는 제 1 반응로와 제 2 반응로를 서로 폐쇄시키며 기판을 제 1 반응로 및 제 2 반응로 사이에서 이동시키는 경우에는 제 1 반응로 및 제 2 반응로를 서로 개방시킨다.