일반기술
개선된 이온빔 소오스 및 이온빔 추출방법
1. 기술의 개요본 기술은 기판상에 특정 물질층을 식각 또는 증착하기 위해 사용되는 이온빔을 발생시키는 이온빔 소오스에 관한 것으로, 플라즈마 발생챔버로부터 높은 플럭스의 음(-)극성 이온빔을 추출하도록 된 개선된 이온빔 소오스 및 이온빔 추출방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 플라즈마 발생챔버에 단속적으로 고주파의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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