일반기술

질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법

1. 기술의 개요본 기술은 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한것으로, 더욱 상세하게는 p형 GaN을 활성층 하부에 형성하고 n형 GaN을 활성층 상부에 형성하여 광학적 손실을 최소화한 수직방향 전극구조를 형성하고, 상부층 상부에 빛이 외부로 방출되는 효과를 극대화 하기 위해 러프니스(roughness)를 형성하며, 러프니스 상부에 발광다이오드의 동작전압을 감소시키기 위한 도전성 투명전도막(TCO)을 형성한 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 2. 기술의 특징기판의 상부에 형성되며 P형 GAN으로 이루어진 하부층, 하부층의 상부에 형성되며 GAN으로 이루어진 활성층, 활성층의 상부에 적어도 N형 GAN층을 포함하여 이루어진 상부층 및상기 상부층 상부에 형성되는 도전성 산화박막층을 포함하여 구성되고, 도전성 산화박막은 (질화갈륨계 소자에서 생성되는 파장)×(2N-1)/4NTCO 의 두께로 이루어지며, N은 자연수이고, NTCO 는 도전성 산화박막의 굴절계수인 것을 특징으로 한다.