일반기술

티오펜 유도체의 플라즈마 보조 화학 기상 증착에 의한유기 고분자 박막의 제조방법

1. 기술의 개요본 기술은 티오펜(C4H4S)을 원료로 하는 유기 고분자 박막을 플라즈마 보조 화학 기상 증착법으로 고속증착시켜 반도체 집적 소자에 적용되는 층간 배선물질에 대한 저유전상수와 낮은 누설 전류 특성을 가지는 우수한 절연물질을 개발하는 것에 관한 것임.2. 기술의 효과첫째, 값싼 원료인 액상의 티오펜(C 4 H 4 S)을 사용함으로써 경제적 이득을 누릴 수 있으며, 둘째, 플라즈마 보조 화학 기상 증착 공정을 이용하고 짧은 증착 시간에도 낮은 유전상수(k<3)와 높은 열적 안정성 및 낮은 누설전류 특성(<10 -8 A/cm 2 )을 가지는 박막을 고속(최대 110 nm/min)으로 얻을 수 있다. 그러므로 반도체 소자에 적용되는 절연 물질에 적용될 경우, 현재 실용화되고 있는 다른 재료보다도 더욱 우수한 물성을 갖는 저유전물질을 더욱 경제적으로 제조할 수 있고 공정 시간도 단축할 수 있어서 큰 경제적인 효과를 얻을 수 있음.