일반기술

자성체 재료 코팅용 마그네트론 원

1. 기술의 개요본 기술은 지지판과 차폐판 사이에 자석 및 절연체 등이 개재되고, 자기장을 생성하여 자성체 물질을 코팅하는 마그네트론 원에 대한 것임.2. 기술의 특징자성체 순금속 또는 자성체 화합물로 성형되어 지지판 상에 거치되고, 자기장의 인출부인 중앙부와 가장자리부가 제거되는 동시에 중앙부의 주위로 통기공을 구비하는 타겟, 타겟 표면에서의 전자의 흐름을 유도하도록 전기적으로 양극을 이루고, 지지판에서의 방전으로 인한 박막내의 불순물 유입을 방지하는 양극판 및 타겟의 통기공에 금속관을 개재하여 연결되어 Ar 등의 방전용 가스를 공급하는 가스주입기를 포함하여 이루어지고, 따라서, 자석부에서 타겟 표면에 인가되도록 인출되는 자기장이 자성체 물질인 타겟으로 흡수되는 현상을 최소화하여 타겟 표면으로 인출되는 자가장의 밀도와 세기를 증대시킴에 따라 타겟의 사용효율과 증착속도를 향상하는 효과가 있음.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 기타 전기/전자
보유기관
성균관대학교
기술유형
일반기술
등록일
2008-07-09
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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