일반기술
박막트랜지스터 및 그 제조방법
본 기술은 디스플레이 산업에서 이용되고 있는 박막트렌지스터에 관한 것으로 박막트랜지스터의 활성영역으로 사용되는 수소화된 비정질 실리콘층을 대면적, 고정세, 구동회로의 집적화가 가능한 폴리실리콘층으로 형성한 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 의하면, Ce 금속층에 의해 엑시머 레이저의 조사시 박막이 보호되고, CeO2층에 의해 폴리실리콘의 성장이 촉진됨으로써 플라스틱 기판의 기계적, 화학적 성질에 대한 신회감으로 인해 제품의 질이 향상되고, 우수한 성능을 갖는 박막트랜지스터를 생산할 수 있는 효과가 있다. 그리고 플라스틱 기판을 사용하게 됨으로써 공정비용의 절감과 제품의 경량화 및 유연한 정보 디스플레이 화면을 구현할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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