일반기술
레지스트 애싱과 리프트-오프 방식을 이용한 나노 규격구조물 형성방법
1. 기술의 개요본 기술은 PR 애싱(ASHING) 및 리프트-오프(LIFT-OFF) 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 다양한 형태 · 물질로 구성된 구조물을 제한 없이 형성하는 방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술은 레지스트 애싱 및 리프트-오프 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 구조물을 형성하는 방법에 있어서, 절연체의 상부에 포토레지스트로 패터닝할 구조물을 형성하는 공정, 절연체 상부에서 포토레지스트로 형성한 구조물의 양쪽 간격을 플라즈마 애싱 공정을 통하여 포토레지스트의 두께와 양 구조물 사이의 폭을 수 나노미터까지 줄이는 공정 및 포토레지스트 및 절연체 위에 구조물로 형성할 물질층을 형성한 후, 리프트-오프 방식으로 포토레지스트 상부에 존재하는 물질층을 제거하여 나노 규격의 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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