일반기술

개선된 이온빔 소오스

1. 기술의 개요본 기술은 기판상에 특정 물질층을 식각 또는 증착하기 위해 사용되는 이온빔을 발생시키는 이온빔 소오스에 관한 것으로, 플라즈마 발생챔버로부터 이온빔을 추출하여 가속시키는 그리드 어셈블리의 구조를 개선하여 그리드간의 소트현상 및 파손을 방지하도록 된 개선된 이온빔 소오스에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술은, 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시킬 수 있는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드와, 이 복수의 그리드의 그리드홀에 대응하는 홀이 각기 대응하는 위치에 형성되며 복수의 그리드 사이에 개재되는 절연층으로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되되, 절연층은 상부 그리드와 하부 그리드와 소정 간격을 유지하면서 스페이서에 의해 상부 및 하부 그리드에 지지되는 것을 특징으로 한다.