일반기술

상압에서 탄소나노튜브 형성 장치 및 방법

1. 기술의 개요본 기술은 기판 상에 탄소나노튜브를 형성하는 장치에 관한 것이다. 공정진행 중 공정챔버 내부는 상압으로 유지되며, 공정챔버 내에 배치된 상부전극 아래에는 모세관으로 기능하는 통공들이 형성된 유전체판이 배치된다. 본 기술의 장치를 사용하면 대면적에서 균일하고 밀도가 높은 플라즈마를 발생시킬 수 있다.2. 기술의 특징상압에서 플라즈마를 이용하여 기판에 탄소나노튜브를 형성하는 장치에 있어서, 공정챔버와, 공정챔버 내의 하부에 배치되며 기판이 놓여지는 하부전극과, 하부전극에 놓여진 기판을 가열하는 가열기와, 공정챔버 내에 하부전극과 일정간격 이격되어 이와 대향되도록 배치되는 상부전극과, 하부전극과 마주보는 상부전극의 면 상에 위치되는, 그리고 소스가스가 상부전극의 수직 아래 위치로 공급되도록 소스가스가 공급되는 통로인 복수의 통공들이 형성된 유전체판과, 소스가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위해 두 개의 금속전극 중 적어도 하나에 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.