일반기술
중성빔을 이용한 원자층 증착장치 및 이 장치를 이용한원자층 증착방법
1. 기술의 개요본 기술은 중성빔 증착장비 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 제2반응가스를 플라즈마화시켜 발생된 라디칼의 플럭스, 즉 이온빔을 중성빔화하여 피처리기판에 조사하도록 된 중성빔을 이용한 원자층 증착장치 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술은 피처리기판에 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응가스를 피처리기판이 로딩된 반응챔버 내에 공급하여, 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응물 흡착층을 피처리기판 상에 화학적으로 흡착시켜서 형성하는 단계와, 제1반응물 흡착층이 형성된 피처리기판 상에 제2반응가스에 의해 생성된 중성빔을 조사하여, 화학적으로 피처리기판 상에 흡착되지 않는 물질을 제1반응물 흡착층으로부터 제거하여 제2반응물 흡착층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 원자력 > 기타 원자력
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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