일반기술
발광소자 및 그 제조방법
1. 기술의 개요본 기술은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판과 기판 표면에 성장되는 중간층과, 기판과 중간층 상에 성장되는 박막을 포함하여 구성된다.2. 기술의 특징Μ-PD(MICRO PULLING DOWN)법으로 Β-GA2O3 단결정 기판을 성장시키는 단계와, 성장된 Β-GA2O3 단결정 기판 표면을 NH3 가스 분위기에서 열처리하여 아모노리시스(AMMONOLYSIS) 반응으로 산소와의 결합이 질소와의 결합으로 치환시켜 GAN 버퍼층을 성장시키는 단계와, 성장된 기판과 중간층 상에 GAN 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 기판으로 사용될 물질과 GAN과의 격자상수 차와 열팽창계수의 차이를 줄여 고품질의 단결정을 성장시킬 수 있는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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