일반기술
나노 와이어 형성방법 및 이 나노 와이어 형성방법을 통해제조된 반도체장치
1. 기술의 개요본 기술은, 실리콘 등으로 구성될 수 있는 피처리기판 상에 금속층 또는 절연층을 증착하는 제1증착공정, 금속층 또는 절연층 상에 PR층을 증착한 후, 다수의 트렌치 형상으로 패턴을 형성하여 잔류 PR층과 함께 금속층 또는 절연층이 노출되게 하는 공정, 및 애싱 공정을 통해 잔류 PR의 폭을 감소시켜 금속층 또는 절연층의 노출 면적을 증가시키는 공정을 구비한 나노 와이어 형성방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징노출된 금속층 또는 절연층 위를 절연층 또는 도전성 재료로 증착(또는 충진)하는 제2 증착공정, 및 잔류 PR을 제거하여 트렌치를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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