일반기술
중성빔 식각장치를 이용한 질화물 반도체 발광 소자 및 그제조 방법
1. 기술의 개요중성빔 식각장치를 이용한 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 활성층 및 P형 질화물 반도체층에 많은 손상이 생기는 문제를 해소할 수 있다. 2. 기술의 특징기판, 기판 상에 형성된 N형 질화물 반도체층, N형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성되며 그 상면에 소정 패턴의 홀이 형성된 P형 질화물 반도체층 및 N형 질화물 반도체층 및 P형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 N측 전극 및 P측 본딩전극을 포함하고, 소정 패턴의 홀은 중성빔 식각장치에 의해 형성되는 구성을 마련한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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