일반기술
이중 주파수를 이용한 초대면적 플라스마 발생장치
본 기술은 이중 주파수를 이용한 초대면적 플라스마 발생장치에 관한 것으로서, 초대면적 플라스마 발생장치를 이용하는 것에 의해 플라스마의 균일도를 최대한 향상시킴으로써, 좀 더 나은 고밀도의 플라스마를 얻을 수 있다.식각 또는 증착공정을 수행할 기판이 장착되는 스테이지, 스테이지와 분리 가능하고, 플라스마 처리장치 영역을 갖는 반응챔버, 반응챔버를 덮는 덮개, 반응챔버와 덮개를 결합하는 조립 프레임, 플라스마 처리장치 영역 내에서 배치되어 있으며, 일 측은 전원에 접속되고, 타 측은 접지되어 있는 다수의 안테나 조립체가 각각 병렬로 구성되는 제1 및 제2의 안테나 소스 및 각각의 안테나 조립체를 중심으로 양쪽에 각각 배치되는 다수의 자성체 조립체를 포함하며, 제1의 안테나 소스는 각각 동일 전력이 인가되는 m개의 안테나 조립체를 구비하고, 제2의 안테나 소스는 각각 동일 전력이 인가되는 m-1개의 안테나 조립체를 구비하며, 제1의 안테나 소스의 각각의 안테나 조립체와 제2의 안테나 소스의 각각의 안테나 조립체는 교대로 배치되고, 제1의 안테나 소스에 인가된 입력전력과 제2의 안테나 소스에 인가된 입력전력은 서로 다른 크기이고 동시에 인가되는 구성을 마련한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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