일반기술

ＨＥＭＴ 소자의 게이트 리세스 식각 방법

본 기술은 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법에 있어서, 식각 챔버 내부로 HEMT 소자를 로딩하는 제1단계, 식각 챔버 내부로 식각 가스를 도입하여 HEMT 소자의 피식각층 표면에 흡착시키는 제2단계, 흡착 단계 완료 후 여분의 식각 가스를 제거하는 제3단계, HEMT 소자의 피식각층에 중성빔을 조사하는 제4단계 및 중성빔 조사에 의해 발생된 식각 부산물을 제거하는 제5단계를 포함하고, 제4단계에서 스퍼터링(sputtering)을 방지하기 위해 중성빔의 에너지를 상기 피식각층의 결합세기(bond strength) 보다 작게 하는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따른 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법은 종래의 원자층 식각 방법에서 중성빔으로 사용하던 아르곤 입자보다 질량이 작은 네온을 중성빔으로 사용하여 피식각층에 조사되는 중성빔의 에너지를 피식각층의 결합세기보다 낮게 유지함으로써 식각 선택비를 향상시킬 수 있으며, 식각 공정 후 피식각층 표면의 손상을 최소화할 수 있다.