일반기술

대면적 처리용 중성빔 소스 및 그 플라즈마 밀도 제어방법

본 기술에 따른 대면적 처리용 중성빔 소스는 이온빔 소스, 이온빔 소스에서 이온빔을 추출하여 가속시키는 그리드 및 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하는 중성빔 소스에 있어서, 이온빔 소스는 플라즈마가 생성되는 공간을 형성하고 하단부가 그리드와 연결되는 챔버와, 선형이며 챔버 내부를 폭방향으로 관통하여 양단부가 챔버의 측면 외부로 노출되는 적어도 하나의 유도 코일부 및 각 유도 코일부 일측 단부에 고주파 전원을 인가하여 챔버내에서 플라즈마를 발생시키는 전원 공급부를 포함한다. 본 기술에 따른 대면적 처리용 중성빔 소스는 플라즈마 발생 챔버 내부 공간에서 선형이며 독립된 루프를 가지는 복수의 유도 코일로 구성되는 ICP 소스를 이온 소스로 사용함으로써 유도 코일의 길이를 최소화하여 중성빔 소스가 대형화되는 경우에도 ICP 이온 소스의 절연에 사용되는 비용을 저감할 수 있으며, 정상파 효과도 배제할 수 있는 장점이 있다. 또한, 플라즈마 발생 효율을 최대화할 수 있으며, 각 선형 유도 코일에 인가되는 전원을 독립적으로 제어하는 것이 가능하기 때문에 플라즈마의 밀도를 균일하게 제어할 수 있는 장점이 있다.