일반기술

전도성 고경도 탄소박막의 제조 방법 및 박막 전계 발광소자용 전극으로의 응용

본 기술은 고경도를 지닌 전도성 탄소 박막의 제조 방법 및 전극으로써 박막 전계 발광 소자에 전극에 전도성 탄소 박막을 응용에 관한 것이다. 본 기술에서는 고경도, 전도성 탄소박막 제작시 비대칭 마그네트론 스퍼터링 (Closed-field unbalanced magnetron sputtering) 방식을 제시하였으며, 제작된 탄소 박막은 높은 강도, 낮은 마찰력, 낮은 마모율, 부드러운 표면, 내부식성 및 내 산화성 등의 우수한 물리적인 특성들을 지니며, 장치 및 공정상의 특성으로 인해 어떠한 도핑 없이 낮은 비저항 (< 5 mΩ·cm )과 좋은 전도 특성을 지닌다. 또한, 본 기술에서는 이 전도성 탄소 박막을 박막 전계 발광 소자 적층 구조물의 전극으로써 이용하였다. 본 기술의 특징은 박막 전계방출소자의 금속 전극을 전도성 탄소박막으로 대체함으로써 전극의 물리적인 특성이 향상되어 전극으로써 수명이 연장되며, 이 전극이 다른 층을 보호함으로써 전자소자의 수명 향상에도 도움이 된다. 결국, 본 기술의 목적은 새로운 전도성 소재를 박막 전계 방출 소자의 전극으로써 도입하고 소자의 물리적, 전기적 특성을 향상을 기대하며 여러 전자소자에 전도성 탄소 전극의 맞춤형 채용을 목적으로 한다.