일반기술

실리콘 건식 식각을 이용한 나노 구조의 실리콘 표면형성방법 및 이 나노 구조를 이용한 비휘발성 메모리의제조방법

본 기술은 RF 플라즈마 반응관 내에 식각가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 식각 방법으로 실리콘 기판 표면을 건식 식각하여 10 ~ 30nm의 나노 구조를 형성하고, 형성된 나노 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시기 위한 방법이다. 본 기술은, 폴리스타일렌(PS)-b -폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)가 나노 마스트로써 증착된 실리콘 기판의 식각을 위하여 불화유황(SF6) 가스를 주입하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 7~10W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 실리콘 기판을 나노 구조 형태로 건식 식각하는 것이다. 본 기술은 건식 식각 기술을 통하여 폴리스타일렌(PS)-b-폴리메틸메탈크릴레이트(PMMA)가 나노 마스크로써 증착된 실리콘 기판 표면을 나노 구조의 형태로 만들 수 있으며, 이를 이용하여 기존 차세대 플래시 메모리 중 하나인 부유 게이트 메모리에서 양자점의 밀도를 증가시켜 효율적인 데이터 읽기와 쓰기가 가능하다.