일반기술

반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치

본 기술은 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 관한 것으로, 제1 보호막을 고정하며 중앙에 관통홀을 갖는 고정부재와, 제2 보호막을 구비한 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 관한 것이다.제1 보호막에 의해 보호되며 단결정을 성장시키기 위한 원료가 담긴 도가니와, 제2 보호막의 외주에 형성되어 도가니 내의 원료를 융해시키기 위한 고주파를 발생시키는 고주파 발생부와, 도가니의 하부에 형성되어 도가니 내의 융해된 융액을 분출하기 위한 노즐(NOZZLE)과, 노즐(NOZZLE)에 시딩(SEEDING)된 후 고정부재의 관통홀을 통해 이송되어 노즐(NOZZLE)에서 분출되는 융액으로 단결정을 성장시키는 시드(SEED)와, 시드(SEED)를 이송시키기 위한 시드 이송부를 포함하여 구성되며, 도가니의 하부에 형성된 노즐(NOZZLE)에 시드(SEED)를 시딩(SEEDING)시킨 후 도가니 내의 융액을 노즐(NOZZLE)을 통해 하강시켜 온도구배로 단결정을 성장시키게 되며, 도가니에 고주파 유도 가열방식으로 원료를 융해하고 도가니 하부에 있는 판상 형태로 제작된 노즐(NOZZLE)을 통하여 단결정을 성장시킴으로써 열 스트레인(STRAIN)에 의한 결정화 및 크랙(CRACK) 형성 등이 없는 고품질의 결정제조가 가능한 효과가 있다.