일반기술
산화물 후막의 치밀화 방법
본 기술은 산화물 후막의 치밀화 공정에 있어서, 기판 위에 형성된 산화물 후막을 금속 또는 산화물 부도체 박막으로 인캡슐레이션(encapsulation)시키고, 600 ~ 900℃의 온도에서 20 ~ 3000 기압의 압력으로 가스 가압소결하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법에 관한 것이다.본 기술에 의하면, 현재 사용되는 산화물 후막, 예를 들어 압전 후막 등의 밀도를 획기적으로 증대시켜서, 전기적 물성이 벌크(bulk)값 정도에 이를 수 있다. 또한 본 기술의 가스 가압 소결법은 가스의 등방향 압축을 이용한 치밀화 기술로서, 시편을 여러 층으로 쌓아서 수행할 수 있어서, 실제 양산화 공정에 적용이 가능하다. 높은 압력에서 소결하므로 승압 융점 강하 현상으로 저온에서 소결 및 치밀화할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 금속재료
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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