일반기술
고인성.내저온열화 정방성 지르코니아 복합체의 제조 방법(2)
본 발명은 100~400℃의 저온영역에서 장시간 노출시에도 단사정 지르코니아(monoclinic zirconia polycrystal)로의 상전이 (phase transition)에 의한 저온열화를 나타내지 않으면서도 고인성을 갖는 정방성 지르코니아(tetragonal zirconiapolycrystal)복합체의 제조방법에 관한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 금속재료
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-11-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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