일반기술

질소 공급원으로서 질소 원자-활성종을 사용하는 유기금속화학증착에 의한 ＩＩＩ족 금속 질화물 박막의 성장 방법

본 기술은 유기금속 화학증착법에 의한 단결정, 비정질 또는 다결정의 III족 금속 질화물 박막의 성장 방법에 있어서 질소의 공급원으로서 활성 상태의 질소 원자 (N * , 질소 원자-활성종)를 사용하는 것에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 종래의 III족 금속 질화물의 유기금속 화학증착법에서 질소 공급원으로 사용되는 암모니아 기체 (NH 3 ) 대신, 질소 원자-활성종, 특히 유전체 장벽 방전에 의한 질소 원자-활성종을 사용함으로써, 약 700 ℃ 내지 1000 ℃의 저온에서 단결정 사파이어 (α-Al 2 O 3 ) 뿐만 아니라, 실리콘 (Si), 갈륨비소 (GaAs) 또는 석영 웨이퍼, 또는 다결정의 실리카 유리 (SiO 2 -유리) 기판 위에도 단결정, 비정질 또는 다결정의 III족 금속 질화물 박막을 성장시킬 수 있다. 또한, 암모니아를 사용하는 경우처럼 질소 원자-활성종을 불필요하게 많은 양으로 공급하지 않아도 될 뿐 아니라, 필요에 따라 충분한 양의 질소 원자-활성종을 공급할 수 있기 때문에 III족 금속 질화물 박막의 성장 속도가 빨라진다.