일반기술
저전압 바리스터-커패시터 복합소자 제조방법
본 기술은 저전압 바리스터-커패시터 복합소자 제조방법에 관한 것으로, 종래 SrTiO 3 바리스터는 비직선계수가 작고, 항복전압이 크기 때문에 이용범위에 제한이 많아 상용화가 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 기술은 SrTiO 3 시편을 제조하는 단계와, SrTiO 3 에 900℃의 온도에서 Bi 2 O 3 를 확산시키는 단계와, Bi 2 O 3 가 확산된 SrTiO 3 시편의 양측면에 은전극을 형성하는 단계로 구성되어 SrTiO 3 의 입계에 Bi 2 O 3 를 확산시켜, 저전압에서 동작하며, 항복전압이 낮고 비선형 계수를 증가시킨 저전압 바리스터-커패시터 복합소자를 형성할 수 있게 되어, 그 적용범위를 확대시켜 SrTiO 3 바리스터-커패시터를 상용화 할 수 있는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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