일반기술
비활성기체와반응성기체를조합한고분자표면처리방법
본 기술은 고분자 재료의 표면에 반응성 기체의 플라즈마 이온을 주입하기 전 또는 주입한 후에 비활성 기체의 플라즈마 이온을 주입시키거나, 또는 반응성 기체와 비활성 기체의 혼합 기체의 플라즈마 이온을 주입하는 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 재료의 표면 처리 방법에 관한 것이다.본 기술의 방법에 따라 고분자 재료의 표면을 처리하면, 비활성 기체의 플라즈마 이온에 의해 고분자 재료의 표면에 다수의 라디칼이 형성되고, 이 라디칼에 의해 고분자 사슬들이 가교 반응을 하여 사슬과 사슬간에 결합을 형성함으로써 고분자 사슬들이 서로 고정되기 때문에, 반응성 기체의 이온 플라즈마에 의해 생성되는 여러 친수성 또는 소수성 작용기를 안정하게 유지할 수 있어, 시간에 따른 에이징 측면에서 우수한 효과를 나타낸다.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 기타 고분자화학
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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