일반기술
저온소결 저손실 고주파 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법
본 기술은 저온소결 저손실 고주파유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기존의 고주파용 세라믹스 조성보다 매우 낮은 소결온도(800 ~ 925℃)이면서도 높은 품질계수(Q×f=12,000∼84,000 GHz)와 유전상수(16≤ε r ≤32) 및 안정된 온도계수 및조성에 따라 다양한 온도보상 특성(τ f = -52 ~ +104 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 ZnO-MO(M=Mg, Co, Ni)-TiO 2 와 같은 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 한다.게다가 Ag이나 Cu 또는 이들의 합금 또는 Ag/Pd 합금을 내부전극으로 사용할 수 있어 각종 고주파용 소자 즉 적층칩 캐패시터, 적층칩 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 모듈, 저온소결 기판, 공진기 또는 필터 및 세라믹 안테나용 유전체 재료로 사용될 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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