일반기술
박막 전계 발광 표시 소자의 복합 유전층 구조
본 발명은 박막 전계발광 표시(thin film electroluminescent display)소자를 구성하는 절연층용 복합유전층 구조에 관한것으로, 특히 기판의 표면에 형성된 투명전극과 절연층으로 작용하는 Ba1-XSrXTiO3 유전박막의 사이에 Si3N4등으로 이루어진버퍼층을 형성하여 절연층과 투명전극간의 반응이나 상호확산을 억제함으로써 전기적 특성의 열화를 방지토록 한 박막 전계발광 표시소자의 복합유전층 구조에 관한 것이다.본 발명은 Ba1-XSrXTiO3 박막이 가지고 있는 유용한 특성을 보다 효율적으로 TFELD소자에 적용하기 위하여 Ba1-XSrXTiO3 박막과 투명전극(ITO층) 사이에 10~100nm 두께의 버퍼층을 형성함에 기술적 특징이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전기·전자기 기능재료
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-11-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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