일반기술

은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 고체 전해질을 갖는 PMCM 소자 및 그의 제조 방법

본 발명은 비휘발성 메모리 소자인 프로그램 가능한 금속 셀 구조의 메모리(PMCM) 소자에 관한 것으로, 고체 전해질 층이 은이 포화된 Ge-Te 박막으로 이루어진 PMCM 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 상기 Ge-Te 박막은 또한 박막 내에 질소를 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 질소가 함유되는 경우 상기 은이 포화된 Ge-Te 박막은 결정화 온도가 높아져 PMCM 소자에 응용함에 있어 더욱 바람직한 특성을 갖는다.본 발명의 PMCM 소자는 고체 전해질로 독성이 낮고 안전한 Ge-Te 합금을 사용하면서도 결정화 온도가 높아 PMCM소자의 응용에 널리 활용될 수 있다. 또한 본 발명의 PMCM 소자의 제조 공정에서 상부 전극인 Ag의 증착 시에in-situ로 Ge-Te 박막 내에 Ag이 확산되어 PMCM 소자의 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.○ 색인어 :메모리 소자 , 고체 전해질층, c, Ge-Te 박막,PMCM 소자