일반기술

양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법

본 기술은 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법에 관한 것으로, 특히 유전체의 덮개층으로 사용되는 실리콘질화막(SiNx) 성장시 암모니아(NH 3 ) 가스의 유량비를 조절함으로써 양자우물 구조의 밴드갭을 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어를 위한 양자우물의 무질서화 공정에 있어서, 양자우물 구조를 갖는 기판을 성장시키는 과정과, 기판 상에 유전체 덮개층을 일반적인 반도체 공정인 리소그라피, 식각 및 유전체 도포 등의 과정을 연속적으로 사용하여 국부적으로 증착시키되 소정 가스의 유량비 조절을 통하여 성장한 특성이 다른 유전체 덮개층만을 국부적으로 증착시키는 과정과, 유전체 덮개층을 소정 시간동안 열처리하여 양자우물의 무질서도를 유기시킴으로서 기판을 국부적으로 다른 밴드갭을 갖도록 제어하는 과정을 포함하는 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법이 제공된다.