일반기술
이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법
본 기술은 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 접합된 퓨전층을 패터닝하고 패터닝된 특성을 살려 덧성장시키며, 이과정에서 나타나는 측면성장률 및 수직 성장률의 차이를 이용한 양질의 이종박막을 형성시키는 기술이다. 본 기술에 의하여 형성된 이종 반도체기판의 패턴된 퓨전층상에는 격자상수차이를 극복하고 성장된 양질의 양자구조가 형성된다. 본 기술에 의하면 격자상수차이가 큰 반도체 물질 사이에서 접합이 가능하고 양질의 박막 덧성장이 가능하여, 지금까지 구현하지 못했던 신개념의 광전소자를 제조할 수 있는 기반소재를 제공할 수 있게 된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-07-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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