일반기술
질화티타늄을 이용하여 실리콘 기판상에ＳｒＴｉ０３/ＢａＴｉ０３ 인공초격자를 제조하는 방법
o 기술 개요SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si)기판을 제공하는 단계, 상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증착하는 단계 및 상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 질화티타늄 버퍼층을 이용함으로써 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘 기판 상에 에피성장할 수 있는 이점을 제공한다.o 기술특징 및 효과- 질화티타늄 버퍼층을 이용함으로써 에피성장을 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘 기판상에 제조가능- 결정성이 우수할 뿐만 아니라 유전상수를 증가시켜 전기적 특성이 우수한 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 제조
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전자기 기능재료
- 보유기관
- 전남대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-08-19
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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