일반기술

전기화학 증착법에 의한 중간세공 구조를 갖는오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는박막

본 발명은 전기화학 증착법에 의한 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 오산화바나듐 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 황산바나듐(VOSO4) 분말을 증류수에 용해시킨 후, CTAB 분말을 첨가하여 반응시킨 후, pH를 조절하여 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액에 기판을 침지하고, 전기화학 증착시켜 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 박막으로부터 세척용액을 사용하여 CTAB를 제거하는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 박막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 오산화바나듐 박막은 추가적인 처리공정이 필요없이 직접적으로 전극을 사용할 수 있어, 처리 공정의 단순화와 제조 비용을 절감할 수 있으며, 소량의 구조배양물질을 이용하여 중간세공 구조의 산화바나듐을 제조할 수 있다. 또한, 생성되는 박막이 균일한 층상 구조와 기공의 크기로 인해 표면적이 증가되었고, 이로 인해 기존의 기공성이 없던 산화바나듐에 비해 성능이 월등히 향상될 수 있어 산화바나듐을 이용한 촉매, 리튬 2차전지의 양극전극재료 등에 유용하게 사용될 수 있다.