일반기술
산화아연 물질에 대한 건식 식각 방법
본 발명은 산화아연 물질(ZnO)에 대한 건식 식각 방법에 관한 것이다. 특히 식각 가스로 브로민계 가스와 수소가스를 사용하고, 상기 식각 가스를 플라즈마화하여 ZnO 물질을 식각하는 단계를 포함하는 산화아연 물질에 대한 건식 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명의 건식 식각 공정에 따라 제조되는 ZnO 물질은 종래 다른 식각 가스와 식각조건을 사용한 경우들에 비해 그 결과로서 복잡한 공정을 수반하는 하드마스크를 사용하지 않고 일반적인 포토레지스트를 사용하여 적절한 식각속도와 재증착이 없는 깨끗한 이방성(anisotropy) 식각 프로파일을 보이는 등 우수한 식각 특성을 나타냄으로써 여러 가지 광전자 소자들에는 물론 최근에 활발히 연구되고 있는 ZnO 박막을 사용하는 센서와 대면적의 TFT LCD 등에 사용될 수 있는 유용한 효과를 제공한다.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 나노소자 제조공정 기술
- 보유기관
- 인하대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-08-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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