일반기술
전도성 고분자 입자의 제조방법
본 발명은 전도성을 가지는 고분자 입자를 제조하는 방법에 대한 것으로, 특히 제조과정에서 서로 응집하지 않으면서 전도성이 균일하게 분포되는 전도성 고분자 입자를 제조하는 것이다.본 발명에 따르면 전도성을 가지는 은 이온이 미립자와 충분히 혼합된 상태에서 미립자에 침착되는 은 이온 침착 반응이 개시되기 때문에, 서로 응집하지 않으면서 전도성이 균일하게 분포되는 전도성 고분자 입자를 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 기본 미립자로써 비전도성 미립자를 사용하여 간단하고 용이하게 전도성 고분자를 제조할 수 있는 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 전기·전자·광특성 고분자
- 보유기관
- 호서대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-09-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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