일반기술

경사진 측벽 반사면을 갖는 고추출효율 Ⅲ-질화물계 발광 다이오드 구조

본 기술은 기판상에 박막 형태로 성장된 Ⅲ-질화물 에피층에 집적하여 전반사현상으로 인해 발광 다이오드(LED-Light Emitting Diode) 소자 내부에 갇히는 빛을 추출할 수 있는 방법이다. 상기 발광 다이오드는 에피층을 따라 측면 방향으로 안내되는 광을 반사시킬 수 있는 경사진 측벽 반사면을 갖는다. 이 기술은 기존의 발광 다이오드 제작 공정을 그대로 적용하면서도 가공하기 쉬울 뿐만 아니라 전반사 효과를 충분히 역이용하면서도 표면 발광 효율은 원리적으로 최대 3배 정도까지 개선하게 된다.질화물 반도체 발광 다이오드는 이미 신호등, 자동차, LCD 등에 사용되고 있으며 21세기 빛의 패러다임 중심에 설 차세대 조명 기술로 많은 관심을 불러일으키고 있다. 하지만, 아직까지도 높은 굴절률을 가지는 반도체 재료내에서 빛이 발생하여 외부로 효율적으로 추출되지 못하는 문제점을 안고 있다.본 기술은 발광 다이오드의 표면이나 거친 미세 구조를 삽입하여 발광 효율을 높이는 기존의 복잡한 기술과는 달리 소자 측벽에 반사면을 기존의 발광 다이오드 제작 공정을 그대로 적용하면서도 손쉽게 집적하여 표면 발광 효율을 높이는 방법이다.