일반기술

물리적 기상 증착법에 의해 형성된 비정질 카본을 이용한 다층 레지스트 구조의 제작 및 이를 이용한 박막 패턴 형성 방법

하부 박막에 대한 식각 선택비를 높이고 식각시 종횡비를 낮출 수 있는 아주 얇은 나노스케일 PVD 비정질 카본 박막을 이용한 다층 레지스트 구조 형성 및 이를 이용한 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.193nm이하의 파장에서 사용하는 포토레지스트 패턴으로 하부패터닝시 반도체 소자의 소자 분리막, 게이트 전극 및 게이트 라인 패터닝, 그리고, 소스 라인 및 드레인 라인을 포함하는 금속 배선의 패터닝에 적용될 수 있다. 본 기술이 적용될 경우 ARDE (aspect ratio dependent etch rate), 식각속도 향상, profile 제어기능 향상될 가능성이 높아진다. 물리 기상 증착법에 의하여 형성된 비정질 카본은 하부층인 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 금속막등 다양한 하부층에 대한 높은 선택비를 갖는다.본 기술의 특징은 플라즈마에 대한 내성이 높은 물리 기상 증착법에 의해 형성된 비정질 탄소를 나노 스케일의 아주 얇은 두께로 형성시키어 하부층 식각시 기존의 화학 기상 증착법에 의한 amorphous carbon막을 사용하는 경우에 비하여 종횡비를 감소시키는 효과가 있어 나노 스케일 식각시 유리하다.