일반기술

기판의 고속 박층화장치 및 방법

본 발명은 실리콘 웨이퍼 고속 박층화 (Fast Si wafer thinning) 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 F가 포함된 가스(F2, NF3) 및 일산화질소 (NO) 가스를 이용하는 CDE(chemical dry etching)를 이용한 Si 웨이퍼 박층화 장치 및 방법에 관한 것이다.grinding 후 플라즈마를 이용할 경우 낮은 thinning 속도를 가지는데 이데 대한 대체 공정으로 적용이 가능하며, 또한 grinding 후 CMP나 dry polishing일 경우 45～50㎛ 이하의 두께까지 적용하는 경우 기계적 손상이 발생하는데 이에 대한 대체 공정으로 적용이 가능하며, 디바이스 사이즈가 줄어들면서 습식 방법으로 할 경우 응력으로 인하여 습식 처리에 한계가 발생한다. 이러한 문제점에 대한 대처 공정으로 적용이 가능하다. 본 발명이 적용될 경우 공정의 비용의 감소와 대기압에서 높은 thinning 속도를 가질 수 있다. 기존의grinding 후 CMP나 dry polishing일 경우 45～50um 이하의 두께까지 적용하는 경우 기계적 손상 발생이 증가 하게 된다. 본 연구에서는 grinding 후 remote plasma를 이용하여 20 ㎛ 이하의 최종 두께까지 thinning을 속도를 높일 수 있다. 또한 디바이스 사이즈가 줄어들면서 응력으로 인하여 습식 처리에 한계가 발생하는데 즉 나노 스케일의 초미세 선폭에 식각에 대한 활용이 예상 된다.grinding 후 이 기술을 적용할 경우 높은 thinning 속도를 가지므로 공정상 시간을 줄일 수 있으며 또한 grinding 후 CMP나 dry polishing일 경우 45～50um 이하의 두께까지 적용하는 경우 기계적 손상 발생이 증가 하게 되는데 이에 대체 공정으로 이 기술을 적용 할 경우 기계적 손상을 막을 수 있다.본 기술의 특징은 grinding 후 플라즈마를 이용할 경우 낮은 thinning 속도를 가지는데 이로 인하여 생성성이 낮다는 것이다. 이에 대한 대처 방법으로 장치 및 공정 개선을 통하여 thinning 속도를 증가시킬 수 있다.