일반기술

저유전율,고경도의 박막 나노적층 구조물 및 이의 제조방법

저유전율 박막, 고경도 박막본 발명은 차세대 고집적 반도체 개발 및 상용화를 위해서는 반드시 필요한 유전율 2 이하의 박막 및 이의 제법에 대한 것으로, 현재로는 시장성이 없지만 향후 5-10년내에는 모든 반도체에 적용될 것으로 예상되므로 미래 시장성이 매우 높은 것으로 판단됨.본 발명이 적용될 반도체 산업은 거대 장치 산업으로 별도의 기업으로 시장을 개척하기 보다는 기존 반도체 업체에 기술 이전을 통하여 산업화하는 것이 적절하다고 판단함.본 발명의 나노적층구조 실리카 박막은 낮은 흡습성과 높은 표면강도 및 저유전상수를 가짐으로써 차세대 반도체 산업의 멀티칩 패키지용 소재에 요구되는 특성을 가지는 장점이 있다. 특히, 순수한 실리카만을 원료로 하며 공정이 간단하고 별다른 표면처리를 하지 않고 저유전상수를 갖는 박막을 제조한 경우는 아직 전 세계적으로 선례가 없으므로 이러한 합성은 향후 멀티칩 패키지용 저유전재료, 칩간의 배선재료 등의 다양한 분야에 응용될 것이다.본 발명에서는 기계적 강도와 화학적 안정성을 갖추었으며 동시에 유전율을 1.15~1.7로 획기적으로 낮춘 실리카 물질을 개발하여, 지금까지의 저유전체 물질 개발 연구의 모든 목적을 세계 최초로 달성하였다.