일반기술

흡착억제제를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법

나노스케일의 고종횡비 트렌치나 비아홀에 유기금속 화학기상증착법을 이용해 구리 또는 구리합금 박막을 형성할 때, 흡착억제제 기체분자 또는 래디컬을 연속적, 단계적 또는 순환적으로 처리하여 구리 또는 구리합금 박막을 선택적으로 매립하는 방법을 제공한다.나노스케일의 반도체 소자 금속배선 공정에 적용될 수 있다.나노스케일의 선폭과 높은 종횡비를 갖는 반도체 소자의 금속배선 형성에 대한 활용이 예상된다.나노스켈일의 고종횡비 트렌치나 비아홀에 유기금속 화학기상증착법을 사용하여 보이드 없이 형성된 구리 또는 구리합금 금속배선은 반도체 소자의 신뢰성을 향상 시킨다.본 기술은 구리 금속배선에 국한하지 않고, 나노스케일의 고종횡비 트렌치나 비아홀의 구리박막 형성시 발생되는 비저항 증가 현상을 완화하기 위해, 유기금속 화학기상증착법을 이용해 구리합금 박막을 형성한다. 또한 나노스케일의 고종횡비 트렌치나 비아홀의 선택적 매립을 위해 구리 또는 구리합금 박막 증착시 흡착 억제제 기체분자 또는 래디컬을 처리하여 보이드 없이 구리 또는 구리합금을 매립한다.