일반기술

증착 및 식각을 통한 반도체 소자의 금속배선 형성방법

반도체소자의 금속배선형성 공정시 보이드가 발생하는 현상을 막기 위해서 구리 또는 구리합금층을 형성하는 공정과 오버행이 형성되는 부분을 플라즈마을 이용하여 염소와 아르곤 혼합 가스와 함께 전면식각하는 공정을 병행하여 오버행을 제거하여 슈퍼필 금소배선 매립을 이루는 기술이다. 상술한 봐와 같이, 본 발명을 이용하여 종횡비가 큰 배선구조를 갖는 금속배선이 가능하여 고집적 반도체소자의 제작에 기여할 것으로 예상된다. 최근 반도체 소자들은 구리를 기반으로 반도체소자에 대한 연구 및 수요가 크게 증가하고 있다. 본 발명은 구리를 사용하는 금속패턴 형성시 발생하는 보이드의 발생을 방지하는 방법으로 시장가치가 크다.이 기술은 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 고집접화를 가능하게 하는 기술로서 향후 큰 시장의 수요가 예상된다.본 발명을 통해 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집접화가 가능하게 하는 효과가 있다. 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서 금속패턴을 구리 또는 구리합금층으로 형성하되 오버행이 발생되는 부분을 전면식각하는 공정을 병행하여 오버행의 발생을 제거하여 금속패턴의 내부에 보이드가 발생되지 않도록 금속패턴을 형성하는 방법이다.