일반기술

I-III-VI2 나노입자의 제조방법 및 다결정 광흡수층 박막의 제조방법

본 기술은 CuInS2 및 Cu(In,Ga)S2 나노 분말 전구체를 저비용 공정으로 합성하고 이를 이용하여 태양전지의 광흡수층으로 사용되는 Cu(InxGa1-x)(SeyS1-y)2 박막을 보다 용이하게 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 기술은 나노 분말 공정에 필수적인 나노분말 전구체를 대량생산하고 이를 이용하여 다양한 종류의 광흡수층 박막을 제조할 수 있는 기술로 박막 태양전지 분야의 다양한 제품에 이용될 수 있다. 본 기술은 종래의 박막 태양전지 제조 공정을 단순화하여 제조단가를 획기적으로 줄일 수 있는 기술로서 태양전지 분야에서 그 시장성이 크게 기대된다.본 기술은 태양전지 제조분야에 미치는 파급효과가 매우 클 것으로 기대되며 기술 이전이 쉬워 기업화에 대한 전망은 매우 긍정적이다.신제품개발,신공정개발,기존제품개선매년 급속히 성장하고 있는 세계태양전지 시장에서 본 기술이 미치는 효과는 매우 클 것으로 기대된다. 특히 태양전지관련 제조 및 장비사업, 재료 및 잉크사업 등에서 높은 사업성이 기대된다.본 기술은 초음파를 사용하여 나노 전구체를 대량 합성하고 이를 이용하여 다양한 밴드 갭을 갖는 태양전지의 광흡수층을 보다 용이하게 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.