일반기술
증착 또는 식각공정에서 실시간 플라즈마 상태 및 이상감지 모니터링 장치
본 기술은 반도체공정 즉, 건식식각 및 데포 또는 코팅 공정에서 플라즈마 상태 및 챔버벽 상태를 측정하는 방법에 대한 것으로써 플라즈마를 이용시 플라즈마 자체의 빛의 변화측정을 통하여 플라즈마 상태변화를 측정하며 또한 빛이 통과하는 챔버윈도우가 공정에 의하여 코팅 또는 데포됨으로써 빛의 투과율이 낮아지게 되는 빛의 투과율의 변화를 측정하여 챔버벽의 상태를 측정하게 된다. 빛 스펙트럼의 분석 알고리즘을 통하여 플라즈마의 매우 미세한 변화를 측정할수 있다. 따라서 이 기술은 실시간 플라즈마상태변화 및 챔버벽 상태변화를 모니터할 수 있는 기능이 있으며 특히 공정중 발생하는 미세 진공 Leak 감지, micro arc 등 공정에 문제가 되는 이상현상을 감지할수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-10-20
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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