일반기술
쌍곡면 드럼형 소자의 이온빔 식각을 이용한 이의 제조방법
본 발명은 이온빔 식각법을 이용하여 활성층(Active region or gain medium)의 직경이 수㎛ 이하에서 수십 ㎚까지의 범위에서 균일한 크기를 가지는 쌍곡면 드럼형 소자를 대량으로 제조할 수 있는 방법과 이로부터 제조된 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법은, 기판 상에 n형 반도체와 p형 반도체의 접합으로 이루어지며, 상기 n형 반도체와 p형 반도체 사이의 경계와 그 부근영역에 활성층을 갖는 에피택시층(epitaxial layer)을 형성하는 단계; 및 이온빔 식각법으로 상기 에피택시 층을 상기 활성층에서 최소의 직경을 갖도록 쌍곡면 드럼 형태로 식각하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 쌍곡면 드럼형 소자는 매우 균일하고 재연성이 좋으며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-10-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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